RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1851
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link