RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
11
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
11.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2200
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link