RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
75
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
75
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1763
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link