RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
52
Wokół strony 50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
52
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2390
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Lenovo 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link