RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2794
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link