RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2240
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link