RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
33
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3110
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link