RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3109
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link