RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3610
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link