RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
21.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3610
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link