RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
26
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3411
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link