RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
55
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
55
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2293
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link