RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2337
3258
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link