RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
27
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.9
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3832
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link