RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2734
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link