RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2702
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link