RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.6
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
22.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
18.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
4202
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link