RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3779
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link