RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MID 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
41
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2338
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link