RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
37
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2277
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link