RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2711
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link