RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2711
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kllisre 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link