RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2854
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link