RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,973.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,967.4
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,973.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
776
2666
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link