RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
23
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
23
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3004
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link