RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
34
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
25
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
3673
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link