RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Porównaj
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
38
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2782
3246
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD16GX3M2A1600C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link