RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
64
Wokół strony 69% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
17.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
64
Prędkość odczytu, GB/s
17.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2568
2205
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 992038 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link