RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
28
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
17
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
3550
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link