RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2714
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link