RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2806
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link