RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Porównaj
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
13.5
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2278
2382
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link