RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
3169
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link