RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2385
1549
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6AFR8C
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link