RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
3938
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.16F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link