RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
39
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2933
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link