RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
39
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
22
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
3879
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link