RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
53
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
53
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
2356
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link