RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
72
Wokół strony 46% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
72
Prędkość odczytu, GB/s
14.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2355
1593
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link