RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
38
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
35
Prędkość odczytu, GB/s
14.1
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2228
1998
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link