RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Porównaj
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2762
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link