RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2808
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link