RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3125
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link