RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3636
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link