RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3652
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link