RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
38
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3652
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link