RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
48
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
3047
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link