RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
45
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
45
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2036
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link