RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
41
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
41
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
3073
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
INTENSO M418039 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link