RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
25
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2104
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link