RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2307
2199
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link