RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Porównaj
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
10.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2348
2213
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G73BH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link