RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
40
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2021
2584
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link